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Introducción
El término "PIN-FET" (transistor de efecto de campo p-intrínseco-n) indica la integración de un fotodiodo PIN y una etapa de amplificador de transimpedancia discreta y de alto rendimiento. PIN-FET ofrece una excelente solución para sistemas de receptores ópticos que requieren alta sensibilidad y amplio rango dinámico. Las aplicaciones incluyen giroscopios de fibra óptica, equipos de terminación de línea de telecomunicaciones o repetidores y sistemas de sensores ópticos. El paquete del receptor ofrece una alta confiabilidad que satisface las especificaciones.
Caracteristicas
● Longitud de onda 850nm / 1310nm / 1550nm
● alta sensibilidad
● amplio rango dinámico
● Alta potencia de sobrecarga
● Paquete dual en línea estándar de 14 pines y 8 pines
● Buena consistencia y fiabilidad.
Aplicaciones
● giroscopios de fibra óptica
● sensor de corriente de fibra óptica
● sensores de fibra óptica
Módulo receptor óptico PIN-FET de alta sensibilidad | |
especificaciones electricas | |
Corriente oscura(@-5V) |
0.5nA |
Máxima potencia de entrada(@-5V) |
-55dBm+25dB |
Degree de reducción de sensibilidad cuando la temperatura es excesiva |
≤1dB |
Sensibilidad de detección |
0.60A / W @ 850nm |
Voltaje Máximo de Salida |
2.5V |
Impedancia de salida |
10ohms |
Limpedancia de carga |
1000ohms |
Tensión de alimentación |
4.5V |
Corriente @ +5V |
25mA |
Current @ -5V |
10mA |
Tipo de paquete y especificaciones ambientales | |
Package |
Paquete dual en línea estándar de 14 pines y 8 pines |
Temperatura de funcionamiento |
-50 ℃ a +70 ℃ |
Temperatura de almacenamiento |
-55 ℃ a +85 ℃ |
El PIN-FET de alta sensibilidad es ideal para giroscopios de fibra óptica de alta precisión, transformadores de corriente de fibra óptica y otros campos de fibra óptica.
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